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    可控射频衰减器芯片是如何实现衰减可控的?

    发布时间:2024-12-03 人气:0 编辑:888集团

    射频衰减器的类型各种各样,通常可分成可控射频衰减器芯片和固定射频衰减器芯片这么两个。随着使用场景对芯片的要求越来越高,可控射频衰减器芯片成为大家关注的一个重点方向,那可控射频衰减器芯片是如何实现衰减可控的?接下来就跟大家做一个相关方面的分享。

    可控射频衰减器芯片实现衰减可控的常见办法:

    1、PIN二极管控制:PIN二极管是一种特殊的二极管,其结构在P型和N型半导体之间有一个本征(Intrinsic)区域。当施加直流偏置电压时,PIN二极管可以表现为一个电阻,这个电阻值可以根据偏置电流的变化而变化。因此,通过改变流过PIN二极管的电流大小,就可以调整它所呈现的电阻,从而改变射频信号的衰减量。

    2、FET(场效应晶体管)控制:使用FET作为可变电阻也是实现可控衰减的一种常见方式。FET的导通电阻可以通过栅极电压进行调节,所以通过改变施加到FET栅极上的电压,可以控制其导通状态下的电阻,进而影响射频信号的衰减程度。

    3、数字控制开关阵列:一些现代的可控衰减器采用了一系列固定衰减值的开关单元,每个单元都可以独立地被打开或关闭。这些开关通常由CMOS工艺制造,并且可以是单刀双掷(SPDT)开关或其他类型的微机电系统(MEMS)开关。通过编程选择哪些开关应该开启,就可以组合出不同的衰减值。

    4、模拟控制:对于需要连续可调衰减的应用场景,有些芯片会使用模拟控制技术,例如利用电压控制的变容二极管(Varactor Diodes),它们的电容随着反向偏压的变化而变化,可以在一定范围内提供平滑的衰减控制。

    5、混合模式:有时也会将上述几种技术结合在一起,以达到更好的性能指标,如更宽的工作带宽、更低的插入损耗、更高的线性度等。

    888集团数控射频衰减器产品推荐

    型号

    描述

    频段
    (GHz)

    低插损
    (dB)

    衰减范围
    (dB)

    衰减精度
    (dBm)

    回波损耗
    (dB)

    Vs
    (V)

    Is
    (mA)

    工作
    温度
    (℃)

    封装

    HXT1033SP4
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    六位数控衰减器

    0.1-6

    0.5dB @0.1GHz~2GHz 0.9dB @2GHz~4GHz 1.4dB @4GHz~6GHz

    0.5~31.5

    1

    20

    3.3

    1

    -40~85

    4*4
    QFN-24L

    HXTAT0816SP4
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    七位数控衰减器

    0.1-8

    0.5dB @0.1GHz~2GHz 0.9dB @2GHz~4GHz 1.4dB @4GHz~6GHz
    1.7dB @4GHz~8GHz

    0.25~31.75

    -0.5~1.6

    18

    3.3

    1

    -40~85

    4*4
    QFN-24L

    HXTAT1023SP4
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    七位数控衰减器

    0.1-6

    0.8dB @0.1GHz~2GHz 1.6dB @2GHz~4GHz 2.4dB @4GHz~6GHz

    0.25~31.75

    -0.3~2.0

    14

    3~5.3

    1

    -40~85

    4*4
    QFN-24L

    HXTAT3523SP4
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    五位数控衰减器

    DC-35

    3.5dB @DC~20GHz 5.0dB @20GHz~32GHz 7.0dB @32GHz~35GHz

    1~31

    2.3

    12

    -4.8~-5.2

    5

    -40~85

    4*4
    QFN-24L

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