发布时间：2025-01-22 人气：0 编辑：888集团
低噪声放大器芯片其实也有各种各样的类型，如何选择关键要看具体的应用场景。关于低噪声放大器芯片其实也有高低频之分，那低频低噪声放大器芯片相比较高频来讲差别在哪，下面我们就来聊聊这个事情。
● 低频低噪声放大器芯片：通常工作频率在kHz至几百MHz范围内(例如音频、传感器信号、中频放大等)。
● 高频低噪声放大器芯片：工作频率在GHz及以上(例如射频通信、毫米波雷达、卫星通信等)。
● 低频低噪声放大器芯片
设计更简单：低频下寄生参数(如分布电容、电感)影响较小，电路稳定性容易保证。
噪声优化重点：主要关注晶体管本身的噪声(如热噪声、1/f噪声)，常用BJT(双极结型晶体管)或JFET(结型场效应管)实现低噪声。
带宽较窄：通常针对特定频段优化，如音频(20Hz-20kHz)或传感器信号(kHz级)。
● 高频低噪声放大器芯片
高频寄生效应显著：需考虑传输线效应、阻抗匹配、趋肤效应、分布电容/电感等，电路布局和封装设计更复杂。
噪声与增益平衡：高频下晶体管增益下降，需通过共源共栅(Cascode)结构或多级放大提升增益，同时优化噪声匹配(如使用微带线匹配网络)。
宽带设计挑战：高频LNA可能需覆盖更宽频段(如5G的Sub-6GHz或毫米波频段)，需牺牲部分噪声性能换取带宽。
● 低频低噪声放大器芯片
常用硅基工艺(如CMOS、BiCMOS)，成本低，适合集成化设计。
低频下硅器件的噪声性能足够满足需求。
● 高频低噪声放大器芯片
高频、低噪声需求下，多采用 III-V族化合物半导体(如GaAs、InP)或 SiGe(硅锗)工艺。
高频工艺需更高电子迁移率(如GaAs的电子迁移率是硅的5-10倍)，以减少晶体管寄生电阻和电容。
● 低频低噪声放大器芯片
低频噪声主要来源于 1/f噪声(闪烁噪声)，需选择低1/f噪声的器件(如JFET或CMOS优化工艺)。
偏置电流和电压对噪声影响较大，需精细调整工作点。
● 高频低噪声放大器芯片
高频下1/f噪声影响减小，主要噪声源为 热噪声 和 散粒噪声。
噪声匹配网络设计更复杂，需在输入阻抗匹配和最小噪声系数之间权衡。
● 低频低噪声放大器芯片
医疗设备(如ECG/EEG信号采集)、音频放大、传感器接口(压力/温度传感器)、地震监测等。
典型场景：微弱直流或低频交流信号放大(如nV级生物电信号)。
● 高频低噪声放大器芯片
无线通信(5G、Wi-Fi、蓝牙)、雷达系统、卫星接收机、射电天文等。
典型场景：接收机前端，放大天线接收的微弱射频信号(如-100dBm级)。
指标 | 低频低噪声放大器芯片 | 高频低噪声放大器芯片 |
噪声系数 | 优化低频1/f噪声（<1dB） | 高频热噪声优化（0.5~3dB） |
增益 | 高且稳定（40dB以上） | 受频率限制（10-30dB） |
带宽 | 窄带（kHz-MHz级） | 宽带（数百MHz至GHz级） |
输入匹配 | 简单RC网络 | 复杂传输线或分布式匹配 |
工艺成本 | 低（硅基CMOS为主） | 高（GaAs/SiGe工艺为主） |
型号 | 描述 | 频段(GHz) | 增益 | P1dB | IP3 | 噪声 | Vs | Is | 工作温度 | 封装 |
宽带低噪放 | 0.01-3 | 20 | 18.5 | 32 | 1.0~1.2 | 5 | 50 | -40~85 | SOT89 | |
宽带低噪放 | 0.01-10 | 15 | 18.5 | 28 | 2.1 | 5 | 65 | -40~85 | SOT89 | |
宽带低噪放 | 0.03-4 | 16 | 21 | 30 | 2.3 | 5 | 105 | -55~85 | SOT89 | |
宽带低噪放 | 0.6-6 | 21 | 19.5 | 37 | 0.6(0.6-4.2G) | 5 | 65 | -40~85 | SOT89 | |
宽带低噪放 | 0.01-8 | 19 | 20.5 | 34 | 1.4 | 5 | 65 | -40~85 | 2×2 | |
宽带低噪放 | 6-18 | 18 | 15 | 25 | 1.7 | 3.5 | 75 | -40~85 | 3×3 | |
宽带低噪放 | 7-14 | 16 | 13 | 24 | 1.65 | 3 | 82 | -40~85 | 4×4 |
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