双P MOSFET，即双P沟道MOSFET，是指在一个封装内集成了两个P沟道MOSFET的器件。P沟道MOSFET是一种场效应晶体管，其导电沟道由P型半导体材料形成，与N沟道MOSFET相对。它结合了两个P沟道MOSFET的特性，在电路设计中具有独特的应用优势，双P MOSFET的具体结构可能因制造商和封装形式而异，但基本上它包含两个独立的P沟道MOSFET单元，每个单元都具有栅极(G)、漏极(D)和源极(S)三个电极。
Part | Vds Min (V) | ID@TC=25℃(A) | RDS(on) Max | RDS(on) Max | PD@TC=25℃ (W) | Vgs(±V) | Vth (V) | Ciss Typ(pF) | Qg Typ(nC) | Package | Application |
HYG850PD02KA1C6 | -20 | -3.5 | N/A | 95 | 2 | 10 | -0.4~-1 | 582 | 7.2 | DFN6L(0202) | 光纤接口保护 |
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